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9月29日，LG化學宣布開發出尖端半導體封裝核心材料—液態PID(Photo Imageable Dielectric)，正式布局人工智能和高性能半導體市場。 
PID作為感光絕緣材料，用在半導體芯片和基板之間建立微電路并形成傳輸電信號通道，是在先進封裝工藝中提高電路精密度、增強半導體性能與可靠性的核心材料。
隨著高性能半導體對于高精密電路的需求不斷攀升，PID的重要性日益凸顯。LG化學的液態PID具備高分辨率、低溫亦可穩定固化、兼具低收縮和低吸收率的特性，有效提高了工藝穩定性。此外，該產品不含PFAS(全氟及多氟烷基化合物)、NMP和甲苯等物質，更符合環境相關法規要求。
加速開發適用于半導體基板的薄膜PID
為正式布局PID材料市場，LG化學憑借其在顯示器、半導體和汽車等電子材料領域積累的薄膜技術實力完成了薄膜PID的開發，并正在攜手全球領先半導體企業進行聯合開發。
近年來，伴隨著高性能半導體的加速發展，不僅僅是半導體芯片，基板亦需同步大型化和微電路化。基板尺寸越大，越容易因溫度變化所致的膨脹收縮系數差異而引發裂紋。同時，現有芯片上使用的液態PID在基板雙面應用和均勻涂覆方面仍存在困難。
LG化學正在開發的薄膜PID采用粘貼形式，在大型基板上亦能保持厚度與形態的均勻性。其具備高強度、高彈性與低吸水率的特性，可最大限度地防止因反復溫度變化而產生的裂紋。此外，該材料可直接適用于基板制造商現有的層壓(Lamination)設備，無需改造工藝即可使用。
*層壓工藝(Lamination)：將薄膜、紙張等多層材料疊加粘合為整體結構，以增強產品結構穩定性的工藝技術。
同時，LG化學已實現封裝基板材料覆銅板(Copper Clad Laminate, CCL)、穩定粘接芯片與基板用芯片粘接膠膜(Die Attach Film, DAF)的規模化量產；并通過開發適用于HBM等高性能存儲器封裝的非導電薄膜(Non-Conductive Film, NCF)、可實現微電路和高層數結構的增層膜(Build-Up Film, BUF)等后道制程工藝材料，持續保持尖端封裝半導體材料的競爭力，并不斷擴大其在全球半導體材料市場的領先地位。
LG化學CEO辛學喆表示：“LG化學正憑借多元化的創新材料，率先為客戶提供新一代高端封裝解決方案。未來，我們將攜手全球合作伙伴，共同引領半導體市場的新方向新發展。”
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